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トコトンやさしいパワー半導体デバイスの本 利用可

松田　順一／著 -- 日刊工業新聞社 -- 2024.2 -- 549.8

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 一般 549.8/ﾏﾂﾀ/一般 122471058 一般 利用可

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タイトル トコトンやさしいパワー半導体デバイスの本
書名ヨミ トコトン　ヤサシイ　パワー　ハンドウタイ　デバイス　ノ　ホン
シリーズ名 Ｂ＆Ｔブックス
著者名 松田　順一 ／著  
著者ヨミ マツダ，ジュンイチ  
出版者 日刊工業新聞社  
出版年 2024.2
ページ数等 １５７ｐ
大きさ ２１ｃｍ
一般件名 パワーデバイス  
ISBN 4-526-08323-2
ISBN13桁 978-4-526-08323-5
定価 １８００円
問合わせ番号（書誌番号） 1120591364
NDC8版 549.8
NDC9版 549.8
NDC10版 549.8
内容紹介 身の回りの電子機器、スマートフォン、パソコンなど、あらゆる装置の電源に活用されているパワー半導体デバイス。その種類と基本特性、基本構造などを、どのようなメカニズムで動作（基本動作）しているのかを中心に丁寧に紹介する。
著者紹介 １９７９年同志社大学大学院工学研究科電気工学専攻博士前期課程修了。旭化成東光パワーデバイス（後、旭化成パワーデバイス）株式会社勤務などを経て、２００２年から２０２３年まで群馬大学で通算１２年間客員教授、現在協力研究員。１９９５年博士（工学）（同志社大学）。（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです） 

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
第１章　パワー半導体デバイスとは？
第２章　パワー半導体材料の基本特性
第３章　整流動作の基本となるＰＮ接合ダイオード
第４章　低電圧整流動作に使うショットキーバリアダイオード「ＳＢＤ」
第５章　高電圧整流動作に使うＰｉＮダイオード
第６章　低電圧スイッチングに使うパワーＭＯＳＦＥＴ
第７章　高電圧スイッチングに使うＩＧＢＴ
第８章　高速スイッチングに使うＧａＮ　ＨＥＭＴ

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