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次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
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岩室 憲幸/監修 -- エヌ・ティー・エス -- 2022.2 -- 549.8
SDI
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所蔵は
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所蔵館
所蔵場所
請求記号
資料コード
資料区分
帯出区分
状態
鳥取県立
一般
549.8/シセタ/一般
121660601
一般
利用可
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資料詳細
タイトル
次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
書名ヨミ
ジセダイ パワー ハンドウタイ ノ カイハツ ヒョウカ ト ジツヨウカ
著者名
岩室 憲幸
/監修
著者ヨミ
イワムロ,ノリユキ
出版者
エヌ・ティー・エス
出版年
2022.2
ページ数等
365,9p 図版24p
大きさ
27cm
一般件名
パワーデバイス
ISBN
4-86043-767-5
ISBN13桁
978-4-86043-767-1
定価
54000円
問合わせ番号(書誌番号)
1120461286
NDC8版
549.8
NDC9版
549.8
NDC10版
549.8
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内容一覧
タイトル
著者名
ページ
序論 次世代パワー半導体の研究開発動向
第1編 次世代パワー半導体の開発(SiCパワー半導体;GaNパワー半導体;ダイヤモンドパワー半導体 ほか)
第2編 次世代パワー半導体の実装技術と信頼性(パワー半導体・デバイスの実装技術;パワー半導体・デバイスにおけるEMC;パワー半導体・デバイスの評価)
第3編 次世代パワー半導体の適用事例(自動車における次世代パワー半導体の実用化;通信・医療機器における次世代パワー半導体の実用化;その他次世代パワー半導体の実用化)
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