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次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎 利用可

田中　保宣／監修 -- 科学情報出版 -- 2021.1 -- 549.8

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 一般 549.8/ｼｾﾀ/一般 121484269 一般 利用可

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タイトル 次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎
書名ヨミ ジセダイ　パワー　ハンドウタイ　デバイス　ジッソウ　ギジュツ　ノ　キソ
副書名 Ｓｉから新材料への新展開
シリーズ名 設計技術シリーズ
著者名 田中　保宣 ／監修  
著者ヨミ タナカ，ヤスノリ  
出版者 科学情報出版  
出版年 2021.1
ページ数等 ２７９ｐ
大きさ ２１ｃｍ
一般注記 欧文タイトル：Ｂａｓｉｃ　Ｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇ　ｏｆ　Ｎｅｘｔ　Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　Ｐｏｗｅｒ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｄｅｖｉｃｅ　ａｎｄ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
一般件名 パワーデバイス  
ISBN 4-904774-95-7
ISBN13桁 978-4-904774-95-3
定価 ４５００円
問合わせ番号（書誌番号） 1100528659
NDC8版 549.8
NDC9版 549.8
NDC10版 549.8
著者紹介 所属：（国研）産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター。経歴：大阪大学大学院で博士号を取得後、１９９６年に工業技術院電子技術総合研究所（当時）に入所。２００１年に（独）産業技術総合研究所（当時）に改組後、一貫してＳｉＣパワーデバイスのプロセス技術開発、デバイス構造設計・デバイス開発に携わり現在に至る。（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです） 

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
第１章　パワーデバイスの基礎
第２章　ＳｉＣパワーデバイス
第３章　ＧａＮパワーデバイス
第４章　Ｇａ２Ｏ３パワーデバイス
第５章　ダイヤモンドパワーデバイス
第６章　ワイドバンドギャップ半導体のための実装技術

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