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半導体デバイスの不良・故障解析技術 利用可

二川　清／編著 -- 日科技連出版社 -- 2019.12 -- 549.8

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 一般 549.8/ﾆｶﾜ/一般 121187333 一般 利用可

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タイトル 半導体デバイスの不良・故障解析技術
書名ヨミ ハンドウタイ　デバイス　ノ　フリョウ　コショウ　カイセキ　ギジュツ
シリーズ名 信頼性技術叢書
著者名 二川　清 ／編著, 上田　修 ／著, 山本　秀和 ／著  
著者ヨミ ニカワ，キヨシ , ウエダ，オサム , ヤマモト，ヒデカズ  
出版者 日科技連出版社  
出版年 2019.12
ページ数等 ２１８ｐ
大きさ ２１ｃｍ
一般件名 半導体－品質管理 , 信頼性（工学）  
ISBN 4-8171-9685-8
ISBN13桁 978-4-8171-9685-9
定価 ３３００円
問合わせ番号（書誌番号） 1120311785
NDC8版 549.8
NDC9版 549.8
著者紹介 【二川清】１９４９年大阪市生まれ。大阪大学大学院基礎工学研究科物理系修士課程修了。工学博士。ＮＥＣ、ＮＥＣエレクトロニクスにて半導体の信頼性・故障解析技術の実務と研究開発に従事。大阪大学特任教授、金沢工業大学客員教授、日本信頼性学会副会長などを歴任。現在、芝浦工業大学非常勤講師。（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです） 
著者紹介 【上田修】１９５０年大阪市生まれ。東京大学工学部物理工学科卒業。工学博士。１９７４年－２００５年、富士通研究所（株）にて、半導体中の格子欠陥の評価および半導体発光デバイス・電子デバイスの劣化メカニズム解明の研究に従事。２００５年－２０１９年、金沢工業大学大学院工学研究科教授。現在、明治大学客員教授。（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです） 

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
第１章　半導体デバイスの不良・故障解析技術の概要（故障解析の位置づけ；不良解析の位置づけ　ほか）
第２章　シリコン集積回路（ＬＳＩ）の故障解析技術（故障解析の手順と、この８年で新たに開発されたか普及した技術；パッケージ部の故障解析　ほか）
第３章　パワーデバイスの不良・故障解析技術（パワーデバイスの構造と製造プロセス；ウエハ製造プロセス起因のデバイス不良・故障と解析技術　ほか）
第４章　化合物半導体発光デバイスの不良・故障解析技術（化合物半導体発光デバイスの動作原理と構造；化合物半導体発光デバイスの信頼性（半導体レーザの例）　ほか）

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