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基礎から学ぶ半導体電子デバイス 利用可

大谷　直毅／著 -- 森北出版 -- 2019.10 -- 549.8

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 一般 549.8/ｵｵﾀ/一般 121014677 一般 利用可

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タイトル 基礎から学ぶ半導体電子デバイス
書名ヨミ キソ　カラ　マナブ　ハンドウタイ　デンシ　デバイス
著者名 大谷　直毅 ／著  
著者ヨミ オオタニ，ナオキ  
出版者 森北出版  
出版年 2019.10
ページ数等 １７７ｐ
大きさ ２２ｃｍ
一般注記 欧文タイトル：Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｔｏ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｄｅｖｉｃｅｓ
一般件名 半導体  
ISBN 4-627-77621-7
ISBN13桁 978-4-627-77621-0
定価 ２５００円
問合わせ番号（書誌番号） 1120295060
NDC8版 549.8
NDC9版 549.8
著者紹介 １９９４年　北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了　博士（工学）。株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所客員研究員。２００１年　総務省通信総合研究所（現　独立行政法人情報通信研究機構）光エレクトロニクスグループリーダー。２００５年　同志社大学工学部助教授。２０１１年　同志社大学理工学部教授。現在に至る。専門　半導体光デバイス、光電子物性、ナノ構造の物理とその応用。（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです） 

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
半導体の基礎
半導体中のキャリア密度
半導体中のキャリア輸送現象
ｐｎ接合ダイオード
金属と半導体の接合による整流特性
バイポーラトランジスタ
接合型電界効果トランジスタ
ＭＯＳダイオード
ＭＯＳＦＥＴ
ＭＯＳ集積回路
ＭＥＳＦＥＴ
付録Ａ　エネルギーバンド構造について
付録Ｂ　状態密度の計算方法
付録Ｃ　有効質量の概念、直接遷移型と間接遷移型半導体
付録Ｄ　価電子帯のエネルギーと正孔の概念
付録Ｅ　ヘテロ接合、トンネル効果、半導体超格子
付録Ｆ　ショットキー接合の電流‐電圧特性
付録Ｇ　バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足

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