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ワイドギャップ半導体パワーデバイス 利用可

山本秀和／著 -- コロナ社 -- 2015.3 -- 549.8

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 書庫 549.8/ﾔﾏﾓ/一般Ｈ 119638496 一般 利用可

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タイトル ワイドギャップ半導体パワーデバイス
書名ヨミ ワイド　ギャップ　ハンドウタイ　パワー　デバイス
著者名 山本秀和 ／著  
著者ヨミ ヤマモト，ヒデカズ  
出版者 コロナ社  
出版年 2015.3
ページ数等 ２０６ｐ
大きさ ２１ｃｍ
内容細目 文献あり　索引あり
原書名 並列タイトル：Ｗｉｄｅ－ｂａｎｄｇａｐ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｐｏｗｅｒ　Ｄｅｖｉｃｅｓ
一般件名 半導体  
ISBN 4-339-00875-3
ISBN13桁 978-4-339-00875-3
定価 ３５００円
問合わせ番号（書誌番号） 1102082099
NDC8版 549.8
NDC9版 549.8
内容紹介 ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優れた性能と課題を詳細に説明。特に結晶製造の難しさは丁寧に解説し、結晶構造の違いや結晶欠陥の形成原理とその評価法に関しても述べた。
著者紹介 １９７９年北海道大学工学部卒。８４年北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了、三菱電機（株）勤務。２０１０年千葉工業大学教授、現在に至る。 

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
基礎編（電力変換とパワーデバイス；次世代パワーデバイスへの要求；パワーチップの構造と製造方法　ほか）
結晶編（原子構造と結晶構造；半導体結晶と物性；半導体中の結晶欠陥　ほか）
デバイス編（ＳｉＣパワーデバイス；ＧａＮパワーデバイス；そのほかのワイドギャップ半導体パワーデバイス　ほか）

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