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電子デバイス工学 利用可

古川静二郎／共著 -- 森北出版 -- 2014.1 -- 549.8

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 一般 549.8/ﾌﾙｶ/一般 119245581 一般 利用可

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タイトル 電子デバイス工学
書名ヨミ デンシ　デバイス　コウガク
著者名 古川静二郎 ／共著, 荻田陽一郎 ／共著, 浅野種正 ／共著  
著者ヨミ フルカワ，セイジロウ , オギタ，ヨウイチロウ , アサノ，タネマサ  
出版者 森北出版  
出版年 2014.1
ページ数等 １４９ｐ
大きさ ２２ｃｍ
版表示 第２版
内容細目 文献あり　索引あり
一般件名 半導体  
ISBN 4-627-70562-X
ISBN13桁 978-4-627-70562-3
定価 ２０００円
問合わせ番号（書誌番号） 1101990455
NDC8版 549.8
NDC9版 549.8
内容紹介 電子デバイスについて、わかりやすく解説した教科書の第２版。技術の進展を反映して記述内容を精査するとともに、省エネ・再生可能エネルギー利用において重要な、パワーデバイスの章を新たに設けた。
著者紹介 【古川】１９３４年函館市生まれ。５６年東京工業大学理工学部卒。６１年東京工業大学助手。６３年東京工業大学助教授。７３年東京工業大学教授。９４年東京工業大学名誉教授。 
著者紹介 【荻田】１９４３年神奈川県生まれ。６６年神奈川大学工学部卒。６９年神奈川大学大学院工学研究科修士課程修了。７０年東京工業大学工学部助手。７７年神奈川工科大学電気工学科講師。８０年同助教授。８６年同教授。２００６年神奈川工科大学電気電子情報工学科教授。 

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
電子と結晶
エネルギー帯と自由電子
半導体のキャリヤ
キャリヤ密度とフェルミ準位
半導体の電気伝導
ｐｎ接合とダイオード
ダイオードの接合容量
バイポーラトランジスタ
金属‐半導体接触
ＭＥＳＦＥＴ
ＭＩＳＦＥＴ
集積回路
光半導体デバイス
パワーデバイス

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