資料詳細

  • 1 件中、 1 件目

図で見てわかるパワーＭＯＳＦＥＴ〈技術と回路〉入門 利用可

李〔キョン〕烈／著 -- 日刊工業新聞社 -- 2013.12 -- 549.6

所蔵は 1 件です。現在の予約件数は 0 件です。

所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 一般 549.6/ﾘ/一般 119209660 一般 利用可

ページの先頭へ

資料詳細

タイトル 図で見てわかるパワーＭＯＳＦＥＴ〈技術と回路〉入門
書名ヨミ ズ　デ　ミテ　ワカル　パワー　モスフェット　ギジュツ　ト　カイロ　ニュウモン
著者名 李〔キョン〕烈 ／著  
著者ヨミ リ，キョンリョル  
出版者 日刊工業新聞社  
出版年 2013.12
ページ数等 １５３ｐ
大きさ ２１ｃｍ
内容細目 文献あり　索引あり
一般件名 トランジスター  
ISBN 4-526-07172-2
ISBN13桁 978-4-526-07172-0
定価 ２２００円
問合わせ番号（書誌番号） 1101985550
NDC8版 549.6
NDC9版 549.6
内容紹介 半導体の基礎とダイオードの特性から、ＭＯＳＦＥＴの酸化膜構造と動作、構造及び各パラメータの特性を説明。基礎的な説明とともに、実際に使用する時に各パラメータをどう使い、設計時にどう応用するかも解説する。
著者紹介 韓国外国語大学校卒。１９９９～２００２年ＳＥＩＫＯ　ＥＰＳＯＮ　Ｋｏｒｅａ　Ｂｒａｎｃｈ：半導体の営業。０２～０３年沖電気工業（株）：半導体のマーケティングなどを経て、１２年～現在インフィニオンテクノロジーズジャパン（株）：アプリケーションエンジニア。 

ページの先頭へ

内容一覧

タイトル 著者名 ページ
第１章　ＭＯＳＦＥＴを理解するための半導体の基礎
第２章　ＭＯＳＦＥＴの概要
第３章　ＭＯＳＦＥＴの絶対最大定格
第４章　電気的特性
第５章　特性グラフ
第６章　ＭＯＳＦＥＴ使用時の注意点
第７章　ＭＯＳＦＥＴの応用

ページの先頭へ