資料詳細

ワイドギャップ半導体の研究利用可

トランジスタ技術ＳＰＥＣＩＡＬ編集部／編 -- ＣＱ出版 -- 2012.8 -- 549.8

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所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料コード	資料区分	帯出区分	状態
鳥取県立	書庫	549.8/ﾜｲﾄ/一般Ｈ	119048530	一般	利用可

タイトル	ワイドギャップ半導体の研究
書名ヨミ	ワイド　ギャップ　ハンドウタイ　ノ　ケンキュウ
副書名	Ｓｉの限界を打破するＳｉＣ／ＧａＮパワー・デバイスの普及が目前に！
シリーズ名	グリーン・エレクトロニクス
シリーズ巻次	ｎｏ．９
著者名	トランジスタ技術ＳＰＥＣＩＡＬ編集部／編
著者ヨミ	トランジスタ　ギジュツ　スペシャル　ヘンシュウブ
出版者	ＣＱ出版
出版年	2012.8
ページ数等	１２７ｐ
大きさ	２６ｃｍ
原書名	『トランジスタ技術ＳＰＥＣＩＡＬ』増刊
一般件名	半導体
ISBN	4-7898-4839-6
ISBN13桁	978-4-7898-4839-8
定価	２２００円
問合わせ番号（書誌番号）	1101925939
NDC8版	549.8
NDC9版	549.8
内容紹介	電子機器のとどまることのない発展により、電力使用量は拡大の一途です。あらゆる電子機器において、省エネルギーが切望されています。本シリーズでは、エレクトロニクス技術について、エネルギーを扱うという観点からアプローチします。具体的には、電源回路、発電、電力変換、モータ駆動、照明などについて扱います。地球環境にやさしいエレクトロニクスの技術情報を紹介していきます。

タイトル	著者名	ページ
Ｓｉの限界を打破するＳｉＣ　ＧａＮ半導体パワー・デバイスの普及が目前に！特集ワイドギャップ半導体の研究（新しいワイドギャップ半導体が世界を変える　パワー・エレクトロニクス用半導体デバイスの重要性；スイッチング素子としての応用面から見た　パワー・エレクトロニクス用半導体の性能指標；パワー・デバイスの動作原理を理解するために　半導体デバイスの基礎知識；パワー・デバイスで最も重要な性能指標　耐圧とオン抵抗のトレードオフ　ほか）
ＧＥ　Ａｒｔｉｃｌｅｓ（シリコン・カーバイド半導体によるアプリケーション　ＳｉＣ　ＪＦＥＴで作るオーディオ・アンプ；高効率で低ノイズな電源回路を実現できる　ＰＦＣ機能を備えたＬＬＣコントローラＩＣ　ＰＬＣ８１０ＰＧ；切り忘れ防止、タコ足による過電流検出、待機電力チェック　無駄減らし効果が目に見える三つの消費電力メータ）