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タウア/〔著〕 -- 丸善出版 -- 2013.1 -- 549.7

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 一般 549.7/タウア/一般 119056326 一般 利用可

資料詳細

タイトル 最新VLSIの基礎
書名ヨミ サイシン ヴイエルエスアイ ノ キソ
著者名 タウア /〔著〕, ニン /〔著〕, 芝原健太郎 /監訳, 宮本恭幸 /監訳, 内田建 /監訳  
著者ヨミ タウア,ユアン , ニン,タック・H. , シバハラ,ケンタロウ , ミヤモト,ヤスユキ , ウチダ,ケン  
出版者 丸善出版  
出版年 2013.1
ページ数等 721p
大きさ 21cm
版表示 第2版
内容細目 文献あり 索引あり
一般注記 初版:丸善2002年刊
原書名 Fundamentals of modern VLSI devices.2nd ed.∥の翻訳
一般件名 集積回路  
ISBN 4-621-08581-6
ISBN13桁 978-4-621-08581-3
定価 8800円
問合わせ番号(書誌番号) 1101913987
NDC8版 549.7
NDC9版 549.7
内容紹介 初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。

内容一覧

タイトル 著者名 ページ
序章
デバイス物理の基礎
MOSFETデバイス
CMOSデバイス設計
CMOS性能因子
バイポーラデバイス
メモリデバイス
SOIデバイス〔ほか〕