鳥取県立図書館
図書館HP
資料検索
資料紹介
Myライブラリ
ヘルプ
図書館HP
>
検索結果一覧
>
本サイトにはJavaScriptの利用を前提とした機能がございます。
お客様の環境では一部の機能がご利用いただけない可能性がございますので、ご了承ください。
資料詳細
詳細蔵書検索
ジャンル検索
検索条件
一般件名
言語学-便覧
ハイライト
ON
OFF
一覧へ戻る
1 件中、 1 件目
最新VLSIの基礎
利用可
予約かごへ
タウア/〔著〕 -- 丸善出版 -- 2013.1 -- 549.7
SDI
本棚へ
所蔵は
1
件です。現在の予約件数は
0
件です。
所蔵館
所蔵場所
請求記号
資料コード
資料区分
帯出区分
状態
鳥取県立
一般
549.7/タウア/一般
119056326
一般
利用可
ページの先頭へ
資料詳細
タイトル
最新VLSIの基礎
書名ヨミ
サイシン ヴイエルエスアイ ノ キソ
著者名
タウア
/〔著〕,
ニン
/〔著〕,
芝原健太郎
/監訳,
宮本恭幸
/監訳,
内田建
/監訳
著者ヨミ
タウア,ユアン , ニン,タック・H. , シバハラ,ケンタロウ , ミヤモト,ヤスユキ , ウチダ,ケン
出版者
丸善出版
出版年
2013.1
ページ数等
721p
大きさ
21cm
版表示
第2版
内容細目
文献あり 索引あり
一般注記
初版:丸善2002年刊
原書名
Fundamentals of modern VLSI devices.2nd ed.∥の翻訳
一般件名
集積回路
ISBN
4-621-08581-6
ISBN13桁
978-4-621-08581-3
定価
8800円
問合わせ番号(書誌番号)
1101913987
NDC8版
549.7
NDC9版
549.7
内容紹介
初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。
ページの先頭へ
内容一覧
タイトル
著者名
ページ
序章
デバイス物理の基礎
MOSFETデバイス
CMOSデバイス設計
CMOS性能因子
バイポーラデバイス
メモリデバイス
SOIデバイス〔ほか〕
ページの先頭へ