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メモリデバイスイメージセンサ 貸出中

角南英夫／編著 -- 丸善 -- 2009.12 -- 549.7

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 書庫 549.7/ｽﾅﾐ/一般Ｈ 118065682 一般 利用可 個人貸出

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タイトル メモリデバイスイメージセンサ
書名ヨミ メモリ　デバイス　イメージ　センサ
シリーズ名 半導体デバイスシリーズ
シリーズ巻次 ２
著者名 角南英夫 ／編著, 川人祥二 ／編著, 有本和民 ／〔ほか〕著  
著者ヨミ スナミ，ヒデオ , カワヒト，ショウジ , アリモト，カズタミ  
出版者 丸善  
出版年 2009.12
ページ数等 ２９２ｐ
大きさ ２１ｃｍ
内容細目 文献あり　索引あり
一般件名 集積回路  
ISBN 4-621-08213-2
ISBN13桁 978-4-621-08213-3
定価 ５７００円
問合わせ番号（書誌番号） 1101665055
NDC8版 549.7
NDC9版 549.7
内容紹介 メモリデバイスとイメージセンサについて、本質（動作原理、特性）を十分な深さで理解できるよう解説。第１編では、ＤＲＡＭからフラッシュメモリへの研究開発の流れ、そしてＦＥＴの代替デバイスの開発状況について重要なポイントが理解できる。第２編では、市場を二分するＣＣＤと、ＣＭＯＳイメージセンサの実像をあますことなく明らかにする。

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
第１編　メモリデバイス（メモリデバイスの基礎；量産中のメモリ；小規模生産中のメモリ；今後に期待されるメモリ）
第２編　イメージセンサ（イメージセンサの基礎；ＣＣＤイメージセンサ；ＣＭＯＳイメージセンサ）

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