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1 件中、 1 件目
強誘電体メモリーの新展開
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石原宏／監修 -- シーエムシー出版 -- 2004.2 -- 549
SDI
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所蔵は
1
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所蔵館
所蔵場所
請求記号
資料コード
資料区分
帯出区分
状態
鳥取県立
書庫
549/ｷﾖｳ/一般Ｈ
115420591
一般
利用可
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資料詳細
タイトル
強誘電体メモリーの新展開
書名ヨミ
キョウユウデンタイ メモリー ノ シンテンカイ
著者名
石原宏
／監修
著者ヨミ
イシハラ，ヒロシ
出版者
シーエムシー出版
出版年
2004.2
ページ数等
１３４ｐ
大きさ
２６ｃｍ
一般件名
薄膜
,
誘電体
ISBN
4-88231-819-9
問合わせ番号（書誌番号）
1101141439
NDC8版
549
NDC9版
549
内容紹介
強誘電体メモリーの基礎から最新のトピックスまでを取り上げ、強誘電体メモリーの現状と将来動向を紹介。
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内容一覧
タイトル
著者名
ページ
強誘電体メモリーの現状と次世代型への期待
化学溶液堆積法による強誘電体薄膜の形成
ＭＯＣＶＤ法による強誘電体薄膜の形成
減圧仮焼成法によるＢｉ系強誘電体薄膜の形成
ＰＺＴ系薄膜新材料の特性
Ｓｉ添加強誘電体材料の特性
強誘電体メモリーの基本動作と信頼性
強誘電体メモリーインテグレーション
連鎖型強誘電体メモリー（ｃｈａｉｎ ＦｅＲＡＭ）
強誘電体ロジック回路
韓国における強誘電体メモリーの現状
強誘電体メモリーの応用
非線形誘電率顕微鏡を用いた超高密度強誘電体記録
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