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強誘電体メモリ 利用可

Ｊ．Ｆ．スコット／著 -- シュプリンガー・フェアラーク東京 -- 2003.11 -- 428.8

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 書庫 428.8/ｽｺﾂ/一般Ｈ 115357638 一般 利用可

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タイトル 強誘電体メモリ
書名ヨミ キョウ　ユウデンタイ　メモリ
副書名 物理から応用まで
著者名 Ｊ．Ｆ．スコット ／著, 田中均洋 ／訳, 磯辺千春 ／訳, 三浦薫 ／訳  
著者ヨミ スコット，ジェームス・Ｆ． , タナカ，マサヒロ , イソベ，チハル , ミウラ，カオル  
出版者 シュプリンガー・フェアラーク東京  
出版年 2003.11
ページ数等 ２６０ｐ
大きさ ２４ｃｍ
内容細目 文献あり　索引あり
原書名 Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｍｅｍｏｒｉｅｓ．／の翻訳
一般件名 誘電体  
ISBN 4-431-71057-4
問合わせ番号（書誌番号） 1101121053
NDC8版 428.8
NDC9版 428.8
内容紹介 １９２１年に強誘電性が発見されて以来、多くの科学者や技術者が夢みてきた低消費電力で高速な動作の「強誘電体メモリ」。近年ようやく実用化に向けての研究開発が大きく進展しはじめている。本書が目指すのは、現在の水準の強誘電体薄膜メモリに関してのデバイス物理学の知識と、回路設計、材料の作製方法や評価法、および試験の手順との融合である。エンジニアやデバイス物理の研究者はもちろん、電気工学や応用物理学の研究者・学生にとっても「初めての教科書」である。

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭｓ：Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｉｅｓ）の基本特性
電気的な絶縁破壊（ＤＲＡＭおよびＮＶ‐ＲＡＭ）
リーク電流
容量の電圧依存性、Ｃ（Ｖ）
分極反転の動力学
電荷注入と分極疲労
周波数依存性
結晶相変化のシーケンス
ＳＢＴ関連化合物のＡｕｒｉｖｉｌｌｉｕｓ層状構造
成膜とプロセス
非破壊読み出し素子
強誘導体‐超伝導体複合素子：フェーズドアレー・レーダーと１０～１００ＧＨｚ素子
ウエハー接合
電子放射とフラットパネル・ディスプレー
光学素子
ナノフェーズ素子
欠点そして不都合（の原因）など

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