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    市民のための都市再生
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舛岡富士雄/著 -- 工業調査会 -- 2003.5 -- 549.7

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 書庫 549.7/マスオ/一般H 115168091 一般 利用可

資料詳細

タイトル 躍進するフラッシュメモリ
書名ヨミ ヤクシンスル フラッシュ メモリ
副書名 ユビキタス時代のキーデバイス
シリーズ名 K books series
シリーズ巻次 177
著者名 舛岡富士雄 /著  
著者ヨミ マスオカ,フジオ  
出版者 工業調査会  
出版年 2003.5
ページ数等 199p
大きさ 19cm
版表示 改訂新版
内容細目 索引あり
一般件名 半導体記憶装置  
ISBN 4-7693-1223-7
問合わせ番号(書誌番号) 1101083349
NDC8版 549.7
NDC9版 549.7
内容紹介 フラッシュメモリは日本発の技術であり、安く、軽く、低消費電力で、信頼性が高く、かつ電源を切っても書込まれた記憶を保持し続ける特徴を持つ。このため、いまではディジタルカメラ、携帯電話等、家庭電化機器のほとんどの製品に使われている。本書では今後急成長が確実である高密度フラッシュメモリの発明者である著者が、本メモリの理論から応用までを詳述する。

内容一覧

タイトル 著者名 ページ
第1章 半導体メモリ
第2章 フラッシュメモリ
第3章 NOR型フラッシュメモリ
第4章 NAND型フラッシュメモリ
第5章 高密度3次元フラッシュメモリ
第6章 NOR型フラッシュメモリとNAND型フラッシュメモリの比較
第7章 フラッシュメモリの将来