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最新ＶＬＳＩの基礎 利用可

タウア／著 -- 丸善 -- 2002.9 -- 549.7

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 書庫 549.7/ﾀｳｱ/一般Ｈ 115091003 一般 利用可

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タイトル 最新ＶＬＳＩの基礎
書名ヨミ サイシン　ヴイエルエスアイ　ノ　キソ
著者名 タウア ／著, ニン ／著, 芝原健太郎 ／監訳, 竹内潔 ／〔ほか〕訳  
著者ヨミ タウア，ユアン , ニン，タック・Ｈ． , シバハラ，ケンタロウ , タケウチ，キヨシ  
出版者 丸善  
出版年 2002.9
ページ数等 ６１０ｐ
大きさ ２１ｃｍ
内容細目 文献あり　索引あり
原書名 Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ　ｏｆ　ｍｏｄｅｒｎ　ＶＬＳＩ　ｄｅｖｉｃｅｓ．／の翻訳
一般件名 集積回路  
ISBN 4-621-07083-5
問合わせ番号（書誌番号） 1101003804
NDC8版 549.7
NDC9版 549.7
内容紹介 本書は、半導体分野での世界的権威、Ｔａｕｒ，Ｎｉｎｇが最新ＶＬＳＩデバイスの基礎についてまとめた名著“Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ　ｏｆ　Ｍｏｄｅｒｎ　ＶＬＳＩ　Ｄｅｖｉｃｅｓ”の翻訳。ディープサブミクロンＶＬＳＩデバイスにとって、とくに重要なパラメータや性能要因に重点をおきながら、最新のＣＭＯＳやバイポーラの基礎を解説。事前に必要とされる予備知識は、固体物理と半導体物理の入門的知識のみである。電気・電子工学分野の大学学部高学年から大学院の教科書、技術者・研究者にとっては知識を体系的に再整理する参考書、として最適。最先端デバイスの設計と最適化に必要な基礎～応用までを展開。

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
デバイス物理の基礎
ＭＯＳＦＥＴデバイス
ＣＭＯＳデバイス設計
ＣＭＯＳ性能因子
バイポーラデバイス
バイポーラデバイス設計
バイポーラ性能因子
ＣＭＯＳプロセスフロー
最近のｎｐｎバイポーラトランジスタ製造プロセスの概要
実効状態密度
アインシュタインの関係式
なだれ降伏の開始条件
サブスレッショルド状態での短チャネル効果の解析解
弱反転での量子学解
エミッタ抵抗とベース抵抗の決定
真性ベース抵抗

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