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エピタキシャル成長のメカニズム 利用可

中嶋一雄／責任編集 -- 共立出版 -- 2002.5 -- 549.8

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 書庫 459.9/ﾅｶｼ/一般Ｈ 114979655 一般 利用可

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タイトル エピタキシャル成長のメカニズム
書名ヨミ エピタキシャル　セイチョウ　ノ　メカニズム
シリーズ名 シリーズ：結晶成長のダイナミクス
シリーズ巻次 ３巻
著者名 中嶋一雄 ／責任編集  
著者ヨミ ナカジマ，カズオ  
出版者 共立出版  
出版年 2002.5
ページ数等 ２１０ｐ
大きさ ２２ｃｍ
内容細目 文献あり　索引あり
一般件名 半導体 , 結晶成長  
ISBN 4-320-03412-0
問合わせ番号（書誌番号） 1100952675
NDC8版 549.8
NDC9版 549.8
内容紹介 本巻では、エピタキシャル成長の熱力学、結晶成長のカイネティクス、基板の表面状態とエピタキシャル成長、ヘテロエピタキシャル成長といった、エピタキシャル成長にとって最も基本となり重要なテーマを取り上げ解説している。成長方法は、最も基本となる液相エピタキシャル成長、気相エピタキシャル成長、分子線エピタキシャル成長の３方法を取り上げた。

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
１　基本概念（エピタキシャル成長の基礎；結晶成長に影響を与える因子；成長モード）
２　エピタキシャル成長の熱力学（固液平衡からの成長（ＬＰＥ）；固気平衡からの成長）
３　結晶成長のカイネティクス（成長表面のカイネティクス；溶液成長における溶質元素の拡散；気相成長の物質輸送効果）
４　基板の表面状態とエピタキシャル成長（面方位とエピタキシャル成長；微傾斜面とエピタキシー；サーファクタントを利用した成長）
５　ヘテロエピタキシャル成長（ヘテロエピタキシャル成長と格子整合；ヘテロ構造の応力・歪み）

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