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半導体デバイスの物理 利用可

浜口智尋／著 -- 朝倉書店 -- 199001 -- 4288

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 書庫 428.8/ﾊﾏｸ/一般Ｈ 114538831 一般 利用可

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タイトル 半導体デバイスの物理
書名ヨミ ハンドウタイ　デバイス　ノ　ブツリ
シリーズ名 現代人の物理　４
著者名 浜口智尋 ／著, 谷口研二 ／著  
著者ヨミ ハマグチ，チヒロ , タニグチ，ケンジ  
出版者 朝倉書店  
出版年 199001
ページ数等 ２１４ｐ
大きさ ２２㎝
内容細目 参考文献：ｐ２０７
一般件名 半導体  
ISBN 4-254-13624-2
問合わせ番号（書誌番号） 1100677170
NDC8版 4288
内容紹介 多種多様な半導体デバイスの原理を理解するためには、半導体の物理現象を理解する必要がある。特に、半導体の特異性と優れた機能性はそのエネルギー帯構造にあり、この理解なくして半導体デバイスの物理を習得することは不可能である。本書では、まず周期ポテンシャル中の電子を理解するのに必要な、電子の波数ベクトルの性質について簡単に述べ，エネルギー帯構造を解説する。このエネルギー帯構造をもとに、電気伝導や光学的性質の基礎を解説し、各種半導体デバイスの動作原理を理解する助けとする。

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
半導体物理への入門（半導体とは；結晶の周期性と格子振動；半導体のエネルギー帯構造；有効質量；正孔の概念；電子統計）
電気伝導（電流の担い手；電子のドリフト運動と移動度；電子散乱の機構；伝導電子の拡散；キャリアの生成と再結合；磁界中での電子の運動；ホットエレクトロン；ドリフト速度のオーバーシュートとバリスィック伝導）
ｐｎ接合型デバイス（ｐｎ接合と電位障壁；少数キャリアの注入とｐｎ接合の整流特性；トンネルダイオード；バイポーラトランジスタ；サイリスタ）
界面の物理と電界効果トランジスタ（界面の物性；金属・半導体接合の電気的特性；ＭＯＳ構造の物理；ＭＯＳ　ＦＥＴの基本動作特性；短チャンネルＭＯＳ　ＦＥＴ特有の問題点；各種ＭＯＳ　ＦＥＴの構造；電荷転送素子；接合型電界効果トランジスタ；ショットキー障壁型電界効果トランジスタ　ＭＥＳ　ＦＥＴ）
光電効果デバイス（光吸収；発光現象；発光ダイオードとその波長；半導体レーザ；光検出デバイス）
量子井戸デバイス（量子井戸とは；二次元電子ガスの状態密度；変調ドープと高電子移動度トランジスタ；その他のヘテロ構造トランジスタ；多重量子井戸レーザー）
その他のデバイス（ガンダイオード；インパットダイオード；圧力センサー；磁気センサー；量子ホール効果を用いた標準抵抗）

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