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自己組織化プロセス技術 利用可

村田好正／共編 -- 培風館 -- 199907 -- 5498

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 書庫 549.8/ｼｺｿ/一般Ｈ 113871887 一般 利用可

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タイトル 自己組織化プロセス技術
書名ヨミ ジコ　ソシキカ　プロセス　ギジュツ
シリーズ名 アドバンストエレクトロニクスシリーズ
著者名 村田好正 ／共編, 尾関雅志 ／共編, 野崎眞次 ／共編  
著者ヨミ ムラタ，ヨシタダ , オゼキ，マサシ , ノザキ，シンジ  
出版者 培風館  
出版年 199907
ページ数等 ３０７ｐ
大きさ ２２ｃｍ
内容細目 文献あり　索引あり
一般注記 シリーズの監修者：菅野卓雄ほか
一般件名 半導体  
ISBN 4-563-03620-X
問合わせ番号（書誌番号） 1100549174
NDC8版 5498
内容紹介 材料構成原子が自然に原子間の相互作用により特定の極微構造を形成する、いわゆる「自己組織化」現象の利用が注目されている。この現象は量子細線や量子ドットなどのナノ構造の形成に応用され、次世代のプロセス技術のひとつとして研究開発が著しい。本書は、このような自己組織化プロセス技術について、わが国の本分野の第一線の研究者らが解説した初の成書である。自己組織化現象のメカニズムと極微構造制御技術、ＳＴＭなどによる構造評価技術、計算物理による理論とシミュレーションなどの基本事項から、ＳｉやＧｅ、化合物半導体らのナノ構造作製技術への応用まで、網羅的に解説している。

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
第１編　基礎編（量子ドットの電子状態とデバイスへの展開の基礎；Ｓｉ、ＧａＮ量子ドットの自己形成と光学的特性；水素化Ｓｉ（１００）でのＳｉアドアトムの吸着と拡散　ほか）
第２編　Ｓｉ、Ｇｅの自己組織化技術（吸着Ｓｉ表面における自己組織化とナノ構造形成；Ｓｉ表面の自己組織化とその集積化；Ｓｉ（００１）に出現する縞状の原子ステップ構造　ほか）
第３編　化合物半導体の自己組織化技術（自己集合ならびに自己組織化による半導体ナノ構造形成；ＧａＡｓ薄膜成長過程での自己組織化；ＧａＡｓ（１１１）Ａ、（１１０）基板上のＩｎＡｓ成長　ほか）

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