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    井上健二
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半導体結晶成長 利用可

大野英男／編著 -- コロナ社 -- 199902 -- 5498

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所蔵館 所蔵場所 請求記号 資料コード 資料区分 帯出区分 状態
鳥取県立 書庫 549.8/ｵｵﾉ/一般Ｈ 113798783 一般 利用可

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タイトル 半導体結晶成長
書名ヨミ ハンドウタイ　ケッショウ　セイチョウ
著者名 大野英男 ／編著  
著者ヨミ オオノ，ヒデオ  
出版者 コロナ社  
出版年 199902
ページ数等 ２６５ｐ
大きさ ２２ｃｍ
内容細目 文献あり　索引あり
一般件名 半導体  
ISBN 4-339-00704-8
問合わせ番号（書誌番号） 1100494794
NDC8版 5498
内容紹介 本書は多様な半導体の結晶成長について、表面における原子・分子の動きをとらえることから、結晶成長とその技術、さらには成長した半導体結晶の性質に至るまでを解説したものである。

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内容一覧

タイトル 著者名 ページ
１　走査型トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程とその場観察
２　Ｓｉ‐Ｇｅ系のＣＶＤエピタキシーと原子層成長制御
３　ＧａＡｓの単分子成長機構
４　ＩＩＩ‐Ｖ族化合物半導体のエピタキシーと表面構造
５　ＩＩＩ‐Ｖ族希薄磁性半導体の結晶成長と物性
６　ＩＩ‐ＶＩ族半導体量子井戸の作製と光物性
７　ＺｎＳ系材料の分子線エピタキシー成長
８　垂直ブリッジマン法によるｔｗｉｎ‐ｆｒｅｅ　ＺｎＳｅ単結晶の作製と評価
９　高純度ＺｎＳｅおよびＣｄＴｅバルク単結晶の成長と評価
１０　磁性半導体Ｅｕカルコゲナイドの結晶作製
１１　カルコパイライト型化合物の結晶成長

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